차세대 메모리반도체 개발을 위한 연구가 본격화됐다.
지식경제부는 삼성전자, 하이닉스와 공동으로 한양대학교 퓨전기술센터내에 ‘차세대 메모리 산학연 공동연구센터’를 개소하고 STT-MRAM의 연구개발에 착수키로 했다.
STT-MRAM은 플래쉬메모리의 저장능력과 D램의 빠른 처리속도를 동시에 갖춘 차세대 메모리로 2015년 이후 제품으로 출시될 전망이다.
차세대 메모리 산학연 공동연구센터에는 국내 최초로 대학에 300mm(12인치) 반도체 장비가 구축되고, 삼성전자와 하이닉스의 전문 연구 인력이 상주한다.
일본은 차세대 메모리 시장 선점을 위해 이미 국책사업 등으로STT-MRAM 개발을 진행하고 있다.
STT-MRAM 시장은 2015년 530억 달러에 이를 것으로 추정되며 우리나라는시장 점유율 45%를 목표로 설정했다.
지식경제부는 ＂국내 반도체 산업은 지난 1993년 이후 세계 메모리 시장에서 1위를 유지하고있으나 핵심 소자구조 등 원천기술은 해외에 의존하고 있어 차세대 메모리반도체 기술개발이 시급하다＂고 밝혔다.