[시사뉴스 우동석 기자] 삼성전자는 이달부터 차세대 '20나노(1나노는 10억 분의 1m) 4기가비트 DDR3(Double Data Rate 3) D램' 양산을 시작했다고 11일 밝혔다.
20나노 D램은 2012년 삼성전자가 세계 처음으로 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높다.
이번에 양산에 성공한 20나노 D램에는 삼성전자의 '개량형 이중 포토 노광 기술'과 '초미세 유전막 형성 기술'이 동시에 적용됐다
삼성전자는 "낸드 플래시는 셀(정보저장의 최소단위)이 트랜지스터 하나로 구성돼 구조가 비교적 단순하지만, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층구조로 구성돼 공정 미세화가 더욱 어렵다"며 "이러한 공정한계를 독자기술을 통해 극복하고 기존 포토장비로 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램도 양산할 수 있는 기반기술을 마련한 것"이라고 의미를 부여했다.
20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 글로벌 IT 업체들에게 '초절전 그린 IT 솔루션'을 제공할 것이란 기대를 모으고 있다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 "저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것"이라며 "향후에도 차세대 대용량 D램과 그린메모리 솔루션을 출시해 글로벌 고객과 함께 세계 IT 시장 성장에 크게 기여할 것"이라고 말했다.
한편 시장 조사기관 가트너에 따르면 세계 D램 메모리 시장은 올해 379억 달러로 지난해 356억 달러 대비 20억 달러 이상 성장할 것으로 전망된다.